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退火对6H-SiC晶体的光学性质及光致发光的影响
引用本文:马峥,连洁,王青圃,马跃进,宋平,高尚,吴仕梁,王晓,徐现刚,李娟.退火对6H-SiC晶体的光学性质及光致发光的影响[J].红外与激光工程,2010,39(5).
作者姓名:马峥  连洁  王青圃  马跃进  宋平  高尚  吴仕梁  王晓  徐现刚  李娟
基金项目:山东大学晶体材料国家重点实验室开放课题资助项目
摘    要:利用双光束分光光度计对高温退火前后的掺氮和未掺杂6H-SiC晶体的透射及反射谱进行了分析,发现无论退火前后,两种SiC晶体在紫外区均存在强烈的吸收.在可见和近红外区,尤其是未掺杂SiC样品具有很高的透射率,退火后,两种样品的透射率均明显提高.利用荧光分光光度计研究了退火前后样品的光致发光特性,结果表明:在390 nm Xe灯激发下.两种样品在417 nm和436 nm处均可观察到蓝光发射,417 nm处的发光归结于C簇的发光,436 nm处的发光机理为从晶粒的核心激发载流子转移到晶粒表面,并与其上的发光中心辐射复合;同时,掺氮SiC在575 nm处还存在发光峰,为氮掺入后引起的非晶SiC的发光,在325 nm Xe灯激发下,525 nm处存在发光峰,其详细发光机制有待进一步研究.

关 键 词:6H-SiC晶体  光学性质  光致发光

Influence of annealing on optical properties and photoluminescence of 6H-SiC crystal
MA Zheng,LIAN Jie,WANG Qing-pu,MA Yue-jin,SONG Ping,GAO Shang,WU Shi-liang,WANG Xiao,XU Xian-gang,LI Juan.Influence of annealing on optical properties and photoluminescence of 6H-SiC crystal[J].Infrared and Laser Engineering,2010,39(5).
Authors:MA Zheng  LIAN Jie  WANG Qing-pu  MA Yue-jin  SONG Ping  GAO Shang  WU Shi-liang  WANG Xiao  XU Xian-gang  LI Juan
Abstract:
Keywords:
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