| 烧结氮化硅陶瓷的显微结构 |
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| 引用本文： | 杨海涛,杨国涛,袁润章.烧结氮化硅陶瓷的显微结构[J].武汉理工大学学报,1997(1). |
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| 作者姓名： | 杨海涛 杨国涛 袁润章 |
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| 作者单位： | 中南工业大学 |
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| 摘 要： | 通过透射电子显微分析和能谱分析，深入仔细地研究了烧结Ｓｉ３Ｎ４－ＭｇＯ－ＣｅＯ２陶瓷的微观结构及其性能的关系，发现当烧结温度为１８００℃时，ＭｇＯ在烧结过程中会自动析晶，烧结体的玻璃相只有铈硅酸盐而几乎没有ＭｇＯ，当烧结温度高于１８５０℃时，容易产生异常长大的二次Ｓｉ３Ｎ４晶粒，从而使烧结Ｓｉ３Ｎ４陶瓷材料的性能下降。并观察到了其中的亚晶粒、晶界及位错等微观结构。
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| 关 键 词： | 氮化硅 陶瓷 显微结构 |
The Microstructure of Sintered Silicon Nitride Ceramics |
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| Yang Haitao Research Institute of Advanced Materials,WUT,Wuhan ,China. Yang Guotao Yuan Runzhang.The Microstructure of Sintered Silicon Nitride Ceramics[J].Journal of Wuhan University of Technology,1997(1). |
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| Authors: | Yang Haitao Research Institute of Advanced Materials WUT Wuhan China Yang Guotao Yuan Runzhang |
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| Affiliation: | Yang Haitao Research Institute of Advanced Materials,WUT,Wuhan 430070,China. Yang Guotao Yuan Runzhang |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Si 3N 4 ceramics microstructure |
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