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基于新型半圆形电极金属-半导体-金属紫外光探测器的光电耦合优化
引用本文:陈斌,杨银堂,柴常春,王宁,马振洋,谢宣蓉.基于新型半圆形电极金属-半导体-金属紫外光探测器的光电耦合优化[J].半导体学报,2012,33(5):054010-6.
作者姓名:陈斌  杨银堂  柴常春  王宁  马振洋  谢宣蓉
作者单位:西安电子科技大学微电子研究所
基金项目:国家部委预研基金项目(Nos.51323040118, 513080302)
摘    要:本文使用数值仿真器ISE-TCAD建立了新型半圆形电极金属-半导体-金属紫外探测器器件模型并研究了该探测器的器件特性。通过对新型半圆形电极结构探测器,传统结构探测器以及实验数据的全面对比验证了模型的正确性。其结果表明了该探测器的性能提升并说明了建立的物理模型对预测这种新型结构探测器性能增强而言是合适的。此外,通过调节该器件的结构参数实现优化目的,优化结果表明半圆形电极半径为2 μm, 电极间距为3 μm的探测器在290 nm具有峰值响应度0.177 A/W ,相应的外量子效率超过75%, 同时在0.3 V 偏压条件下归一化光暗电流对比度达到1.192E11 1/W。这些特性表明半圆电极金属-半导体-金属紫外光电探测器具有优异的光电集成应用前景。

关 键 词:紫外探测器  金属结构  耦合优化  半导体  半圆形  电极  肖特基  基础

Optical coupling optimization in a novel metal-semiconductor-metal ultraviolet photodetector based on semicircular Schottky electrodes
Chen Bin,Yang Yintang,Chai Changchun,Wang Ning,Ma Zhenyang and Xie Xuanrong.Optical coupling optimization in a novel metal-semiconductor-metal ultraviolet photodetector based on semicircular Schottky electrodes[J].Chinese Journal of Semiconductors,2012,33(5):054010-6.
Authors:Chen Bin  Yang Yintang  Chai Changchun  Wang Ning  Ma Zhenyang and Xie Xuanrong
Affiliation:Key Laboratory of Ministry of Education for Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices,School of Microelectronics,Xidian University;No.771 Institute of Microelectronics Technology;
Abstract:
Keywords:semicircular contact  MSM ultraviolet photodetector  optimization
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