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布里兹曼法碲镉汞(Hg1—xCdxTe)晶体生长过程热场的数值分析
作者姓名:
王培林 魏科
摘 要:
用控制容积法对布里兹曼碲镉汞(Hg1-xCdxTe)晶体生长过程热场分布进行了计算。介绍了控制容积公式的推导和边界条件的处理,并对所得结果进行了分析。虽然碲镉汞晶体生长时热场受系统的影响情况错综复杂,但从本文的研究结果中仍可看出一些明显的规律,可供从事该方面研究工作时参考。
关 键 词:
晶体生长 布里兹曼法 碲镉汞
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