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| Co／Ti／Si三元固相反应外延生长CoSi2薄膜 | |
| 引用本文： | 刘平,周祖尧.Co／Ti／Si三元固相反应外延生长CoSi2薄膜[J].半导体学报,1994,15(4):235-242,T001. |
| 作者姓名： | 刘平 周祖尧 |
| 作者单位： | 复旦大学电子工程系，中国科学院上海冶金研究所离子束开放研究实验室 |
| 摘 要： | 研究采用Ｃｏ／Ｔｉ／Ｓｉ三元固相反应的方法生长外延ＣｏＳｉ２薄膜。通过选择适当的热处理条件，采用步退火，在Ｓｉ（１００）和Ｓｉ（１１１）衬底上均成功获得外延ＣｏＳｉ２薄膜。实验用ＸＲＤ．ＴＥＭ、ＲＢＳ／ｃｈａｎｎｅｌｉｎｇ等测试技术分析ＣｏＳｉ２薄膜外延特性，得到的ＣｏＳｉ２／Ｓｉ薄膜的ＲＢＳ／ｃｈａｎｎｅｌｉｎｇ最低产额Ｘｍｉｎ达到１０－１４％，实验时ＣｏＳｉ２／Ｓｉ（１１１）样品，分别沿Ｓｉ衬 |
| 关 键 词： | 硅化钴薄膜 固相反应 外延生长 |
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