GaAs/Al_0.33Ga_0.67As短周期超晶格中能带不连续性随压力的变化 |
| |
引用本文: | 刘振先,李国华,韩和相,汪兆平.GaAs/Al_0.33Ga_0.67As短周期超晶格中能带不连续性随压力的变化[J].半导体学报,1994,15(3):163-170. |
| |
作者姓名: | 刘振先 李国华 韩和相 汪兆平 |
| |
作者单位: | 中国科学院半导体研究所 |
| |
摘 要: | 利用高压光致发光方法在液氮温度下和0—35kar的压力范围内对不同层厚的GaAs/Al0.33Ga0.67As短周期超晶格以及具有相近组份的Al0.3Ga0.7As体材料进行了系统的研究.测得Al0.3Ga0.7As体材料的Γ谷和X谷的压力系数分别为8.6meV/kbar和-.57meV/kbar.在一定的压力范围内同时观测到了短周期超晶格中与类Γ态和类X态相关的发光峰,从而得到了类Γ态能级和类X态能级随压力的变化关系.首次获得了有关GaAs/Al0.33Ga0.67As短周期超晶格能带不连续性(包括价带
|
关 键 词: | GaAs/AlGaAs 能带结构 超晶格 压力 |
本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录! |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体学报》下载全文 |
|