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| 完全MBE生产长的内含吸收型光栅GaAlAs／GaAs多量子阱增益耦合型... | |
| 引用本文： | 罗毅,张盛忠.完全MBE生产长的内含吸收型光栅GaAlAs／GaAs多量子阱增益耦合型...[J].半导体学报,1994,15(2):139-144. |
| 作者姓名： | 罗毅 张盛忠 |
| 摘 要： | 我们首次完全采用ＭＢＥ技术成功地制作了内含吸收型光栅的ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ量子阱增益耦合型分布反馈式半导体激光器，激光器在室温下的激射波长为８６０ｎｍ，单模单端输出光脉冲峰值功率超过２０ｍＷ。器件在至少０－８０℃的范围内始终保持单纵模激射，作为初步结果，条宽为５－６μｍ的氧化物条件形结构器件的脉冲工作阈值电流约为７００ｍＡ。 |
| 关 键 词： | 半导体激光器 量子阱 GaAlAs／GaAs |
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