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| 形成优质Si~＋注入SI—GaAs层的研究 | |
| 引用本文： | 李国辉,韩德俊,陈如意,姬成周,王策寰,夏德谦,朱红清.形成优质Si~＋注入SI—GaAs层的研究[J].半导体学报,1994,15(1):40-47. |
| 作者姓名： | 李国辉 韩德俊 陈如意 姬成周 王策寰 夏德谦 朱红清 |
| 作者单位： | 北京师范大学低能核物理所，中国科学院半导体研究所材料开放实验室 |
| 摘 要： | 在ＧａＡｓ集成电路研制中需要高电激活率、高迁率的ｎ型薄层．本文研究了引Ｓｉ＋注入ＧａＡｓ形成的ｎ型层光电特性与材料参量、注入和退火条件的关系．结果表明材料生长中的杂质污染和缺陷对注入层电特性有直接影响．材料或退火过程中Ａｓ和Ｇａ的原子比［Ａｓ］／［Ｃａ］稍大时，注入层中电激活率和迁移率都高．实验还证明，２９Ｓｉ＋注入时ＢＦ＋束流的影响会使注入层电激活率和迁移率下降．本文指出注入时剂量不宜过大，白光快速退火时温度不宜过高，一般在９６０℃５秒退火为佳． |
| 关 键 词： | 砷化镓 集成电路 离子注入 |
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