用MOCVD在非平面衬底上生长的量子阱,量子线及其光学性质 |
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作者姓名: | 钱毅 胡雄伟 |
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作者单位: | 中国科学院半导体所,北京国家光电子工艺中心 |
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摘 要: | 本文报道在650℃的衬底温度下实现了MOCVD在(100)面和(111)面上生长GaAs与Al0.4Ga0.6As的不同选择性。这一衬底温度比国际上以前报道的要低,对制作适于光电器件的GaAs/AlGaAs量子阱层比较有利。用此技术,在GaAs非平面衬底上生长了GaAs/Al0.4Ga0.6As量子阱,并用扫描电镜、低温光致发光谱及偏振激发的光反射率谱技术进行了研究。结果不仅证明了MCCVD外延生
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关 键 词: | 半导体材料 MOCVD 量子阱 外延生长 |
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