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| 用MOCVD在非平面衬底上生长的量子阱,量子线及其光学性质 | |
| 作者姓名： | 钱毅 胡雄伟 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体所，北京国家光电子工艺中心 |
| 摘 要： | 本文报道在６５０℃的衬底温度下实现了ＭＯＣＶＤ在（１００）面和（１１１）面上生长ＧａＡｓ与Ａｌ０．４Ｇａ０．６Ａｓ的不同选择性。这一衬底温度比国际上以前报道的要低，对制作适于光电器件的ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱层比较有利。用此技术，在ＧａＡｓ非平面衬底上生长了ＧａＡｓ／Ａｌ０．４Ｇａ０．６Ａｓ量子阱，并用扫描电镜、低温光致发光谱及偏振激发的光反射率谱技术进行了研究。结果不仅证明了ＭＣＣＶＤ外延生 |
| 关 键 词： | 半导体材料 MOCVD 量子阱 外延生长 |
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