高压偏移栅P沟MOSFET的电离辐照性能研究 |
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引用本文: | 严荣良,赵元富.高压偏移栅P沟MOSFET的电离辐照性能研究[J].半导体学报,1994,15(9):617-622. |
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作者姓名: | 严荣良 赵元富 |
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摘 要: | 详细研究了高压偏移栅P沟MOSFET在Co^60-γ辐照下击穿电压随辐照剂量的变化关系。结果表明:;击穿电压的辐照剂量响应与漂移区杂质面密度、票移区长度、场板长度以及漏区结构有关。另外,γ辐照志致导通电阻增加。结果证实了我们以前提出的电离辐照引起击穿电压变化的机制。对实验现象给出了比较圆满的解释。结论对研制电离辐射加固高压偏移栅P沟MOSFET具有重要的指导作用。
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关 键 词: | MOSFET 电离辐射 高压偏移栅 |
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