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| GaAs／AlGaAs多量子阱红外探测器材料研究 | |
| 引用本文： | 杜全钢,钟战天,周小川,牟善明,徐贵昌,蒋健,段海龙,王昌衡.GaAs／AlGaAs多量子阱红外探测器材料研究[J].半导体学报,1994,15(2):98-102. |
| 作者姓名： | 杜全钢 钟战天 周小川 牟善明 徐贵昌 蒋健 段海龙 王昌衡 |
| 作者单位： | 中国科学院表面物理国家重点实验室 |
| 摘 要： | 本文报道ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多量子阱长波长红外探测器材料的制备及其性能．这种材料由ＧａＡｓ阱和ＡｌＧａＡｓ势垒组成，除内ｎ型掺杂，具有５０个周期．利用分子束外延技术成功地生长出了大面积（２英寸）均匀（厚度△ｔ＿ｍａｘ／≤３％，组分△ ｘ＿ｍａｘ／ｘ≤３．４％，掺杂浓度△ｎｍａｘ／ｎ≤３％，椭圆缺陷≤３００ｃｍ－２）的外延材料．分析了暗电流的成因，通过加厚势垒（Ｌｂ≥３００）、控制掺杂（ｎ≤１×１０￣１８ｃｍ￣３）、精确设计子带结构，将暗电流降低了几个数量级，同时使电子的输运得到了改善．由此得到了高质量的 |
| 关 键 词： | 红外探测器 GaAs／AlGaAs 量子阱 |
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