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| GaAs表面钝化的新方法：S_2Cl_2处理 | |
| 作者姓名： | 李喆深 蔡卫中 苏润洲 侯晓远 董国胜 金晓峰 丁训民 王迅 |
| 作者单位： | 复旦大学应用表面物理国家重点实验室，复旦大学李政道物理综合实验室，东北林业大学物理系 |
| 摘 要： | 本文用光致发光谱（ＰＬ）结合俄欧电子能谱（ＡＥＳ）和Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ），首次研究了Ｓ２Ｃｌ２钝化的ＧａＡｓ（１００）表面．结果表明，ＰＬ强度较钝化前样品提高了将近两个数量级．钝化后的表面ＡＥＳ谱显示含有Ｓ，Ｇａ，ＡＳ，Ｃ和少量Ｃｌ原子而不含Ｏ原子．ＸＰＳ谱说明Ｓ原子和Ｇａ、Ａｓ原子都成键．与（ＮＨ４）２Ｓ处理的比较结果显示，几秒钟的．Ｓ２Ｃｌ２处理即可达到或超过几十分钟（ＮＨ４）２Ｓ处理的钝化效果． |
| 关 键 词： | 砷化镓 钝化 氯化硫处理 |
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