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| 键合Si／SiO2／Si结构的C—V特征 | |
| 引用本文： | 黄庆安,陈军宁.键合Si／SiO2／Si结构的C—V特征[J].半导体学报,1994,15(5):354-360. |
| 作者姓名： | 黄庆安 陈军宁 |
| 摘 要： | 本文研究了理想Ｓｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉ结构的电容－电压（Ｃ－Ｖ）特性，提出了根据Ｓｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉ的Ｃ－Ｖ特征测量ＳｉＯ２厚度、衬底掺杂浓度和固定电荷的方法，并对键合样品进行了实验。 |
| 关 键 词： | C－V特性 SIS结构 Si／SiO2／Si |
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