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| 我国生产型MOCVD设备研制成功 | |
| 摘 要： | 为了建立我国用于氮化镓激光器外延片生产用的金属有机物化学气相淀积(MOCVD)研发及产业化基地，打破国外MOCVD设备长期处于垄断的局面，2001年7月，中国科学院半导体研究所承担了北京市科学技术委员会新材料基地“氮化镓激光器关键技术研究”。经过科研人员2年的不断攻关，取得了关键技术的突破，近日通过专家验收。与此同时， |
| 关 键 词： | 生产型 中国 垄断 产业化基地 关键技术研究 成功 设备研制 MOCVD 氮化镓 激光器 |
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