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| 小信号低噪声有源器件 | |
| 引用本文： | R.M.马尔邦,N.K.奥斯布林克,郭福书.小信号低噪声有源器件[J].雷达与对抗,1986(2). |
| 作者姓名： | R.M.马尔邦 N.K.奥斯布林克 郭福书 |
| 摘 要： | 当晶体管放大器变得可在指定频率范围内用时,它们正在迅速取代低噪声的行波管放大器和返波管放大器来作为与电子防御有关的应用方面的前置放大器。这就意味着在讨论今日低噪声微波放大器的技术时,在很大程度上势必要讨论砷化镓场效应晶体管(GaAs FET)。但是也不能忽视其它低噪声放大器技术,例如,在大容量的地面站和其它需要低噪声的 |
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