| 4H-SiC射频功率MESFET大信号直流I-V特性解析模型 |
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| 引用本文： | 杨林安,张义门,吕红亮,张玉明,于春利. 4H-SiC射频功率MESFET大信号直流I-V特性解析模型[J]. 半导体学报, 2001, 22(9): 1160-1164 |
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| 作者姓名： | 杨林安 张义门 吕红亮 张玉明 于春利 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子研究所，西安710071 |
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| 基金项目： | 国防预研基金;8.1.7.3; |
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| 摘 要： | 根据 4H - Si C高饱和电子漂移速度和常温下杂质不完全离化的特点 ,对适用于 Si和 Ga As MESFET的直流I- V特性理论进行了分析与修正 .采用高场下载流子速度饱和理论 ,以双曲正切函数作为表征 I- V特性的函数关系 ,建立了室温条件下 4H - Si C射频功率 MESFET直流 I- V特性的准解析模型 ,适于描述短沟道微波段 4H- Si CMESFET的大信号非线性特性 ,计算结果与实验数据有很好的一致性 .同时与 MEDICI模拟器的模拟结果也进行了比较 .
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| 关 键 词： | 4H-SiC 射频功率MESFET 非线性大信号模型 直流I-V特性 |
| 文章编号： | 0253-4177(2001)09-1160-05 |
| 修稿时间： | 2000-11-09 |
Analytical Model of Large-Signal DC I-V Characteristics for 4H-SiC RF Power MESFET's |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | 4H-SiC RF power MESFET nonlinear large-signal model DC I-V characteristics |
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