| 辉光放电光谱法分析掺杂纳米硅薄膜的研究 |
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| 引用本文： | 张毅,陈英颖,吴则嘉,刘晓晗,杨晟远,张林春. 辉光放电光谱法分析掺杂纳米硅薄膜的研究[J]. 冶金分析, 2004, 24(Z1): 253-258 |
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| 作者姓名： | 张毅 陈英颖 吴则嘉 刘晓晗 杨晟远 张林春 |
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| 作者单位： | 1. 宝山钢铁股份有限公司技术中心,上海,201900
2. 上海维安新材料研究中心有限公司,上海,200082 |
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| 摘 要： | 介绍了利用辉光放电光谱法分析掺杂纳米硅薄膜通过优化辉光光源激发参数、计算标准样品的溅射率,建立了掺杂纳米硅薄膜的定量表面分析方法.方法应用于实际掺杂纳米硅薄膜样品的分析,并将分析深度剖析结果与表面形貌仪的结果进行了对照.实验结果表明,本分析方法快速、准确,具有实际应用价值.
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| 关 键 词： | 辉光放电 光谱法 掺杂 纳米硅薄膜 |
| 文章编号： | 1000-7571(2004)增-0253-06 |
Study on analysis of doped hydrogenated nano crystalling silicon film by glow discharge spectrometry |
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| ZHANG Yi,CHEN Ying-ying,WU Ze-jia,LIU Xiao-han,YANG Sheng-Yuan,ZHANG Lin-chun. Study on analysis of doped hydrogenated nano crystalling silicon film by glow discharge spectrometry[J]. Metallurgical Analysis, 2004, 24(Z1): 253-258 |
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| Authors: | ZHANG Yi CHEN Ying-ying WU Ze-jia LIU Xiao-han YANG Sheng-Yuan ZHANG Lin-chun |
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