质子轰击的锑化铟n-p结光伏探测器

本文介绍了用质子轰击产生 n-型层来制备锑化铟 n-P 结光伏探测器的方法。在77°K 时,直径为20密耳的二极管具有几十万欧姆的零偏压电阻。这些二极管在4.9微米时的典型峰值探测度在2π,300°K 背景条件下大于3×10~(10)厘米赫~(1/2)/瓦,所观察到的最大值是10~(11)厘米赫~(1/2)/瓦。已观察到接近35％的二极管量子效率。