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| Ⅲ-Ⅴ族半导体NEA光电阴极智能激活测试系统设计及应用研究 | |
| 引用本文： | 高频,张益军,王晓晖,黄怀琪.Ⅲ-Ⅴ族半导体NEA光电阴极智能激活测试系统设计及应用研究[J].红外技术,2011,33(12):721-725. |
| 作者姓名： | 高频 张益军 王晓晖 黄怀琪 |
| 作者单位： | 南京理工大学电子工程与光电技术学院,江苏南京,210094 |
| 摘 要： | Ⅲ-Ⅴ族半导体负电子亲和势(NEA)光电阴极智能激活测试系统是为研究、制备NEA光电阴极材料提供的一个多信息实验数据自动采集和处理平台.它的亮点在于:在该系统上不但能完成GaAs NEA光电阴极激活,而且能进行GaN NEA.光电阴极激活的研究.其使用波长范围已从初级研究的400～1000nm延展到了200～1000n... |
| 关 键 词： | 光电阴极 负电子亲和势 铯氧激活 光谱响应 |
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