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| 不同衬底温度下射频磁控溅射磷掺杂ZnO薄膜的性质 | |
| 引用本文： | 王金忠,李美成,VincentSailet,A.Rego,R.Martins,E.Fortunato.不同衬底温度下射频磁控溅射磷掺杂ZnO薄膜的性质[J].红外与激光工程,2011,40(8):1490-1494. |
| 作者姓名： | 王金忠 李美成 VincentSailet A.Rego R.Martins E.Fortunato |
| 作者单位： | 1. 哈尔滨工业大学材料科学与工程学院光电信息材料与量子器件系,黑龙江哈尔滨150001;Material Science Department, FCT-UNL, Caparica 2829-516, Portugal 2. 哈尔滨工业大学材料科学与工程学院光电信息材料与量子器件系,黑龙江哈尔滨,150001 3. Groupe d'Etude de la Matière Condensée, CNRS-UVSQ, Meudon 92195, France 4. Centro de Química-Física Molecular, IST, Lisbon 1049-001, Portugal 5. Material Science Department, FCT-UNL, Caparica 2829-516, Portugal |
| 基金项目： | 哈尔滨市项目，教育部新世纪优秀人才支持项目 |
| 摘 要： | 为研究在低温衬底上沉积磷掺杂ZnO薄膜的性质,从室温到350℃的范围内磷掺杂的ZnO被磁控溅射到蓝宝石衬底上.样品的XRD谱显示薄膜为＜001＞方向择优生长,ZnO(002)面的衍射峰在250℃时最低.原子力图像分析显示:薄膜的表面形貌随沉积温度而变化,粗糙度随温度升高而增加.样品的XPS谱在134eV附近清晰地观测到... |
| 关 键 词： | 氧化锌 掺杂 光电子能谱 Hall测量 |
Properties of P-doped ZnO films RF-sputtered at different substrate temperature |
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| Wang Jinzhong,Li Meicheng,VincentSailet,A.Rego,R.Martins,E.Fortunato.Properties of P-doped ZnO films RF-sputtered at different substrate temperature[J].Infrared and Laser Engineering,2011,40(8):1490-1494. | |
| Authors: | Wang Jinzhong Li Meicheng VincentSailet ARego RMartins EFortunato |
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