|
|||||
|
|
| 硅中氮的电学行为的研究 | |
| 作者姓名： | 佘思明 李冀东 廖平婴 |
| 作者单位： | 中南工业大学应用物理系 |
| 摘 要： | 用红外光谱等方法研究了硅中氮的电学行为．结果指出：氮对热施主无明显的促进和抑制作用；ＮＣＺＳｉ中不存在“热受主”，ＮＣＺＳｉ的电学性质上的特点是氮氧复合物施主；氮氧复合物及其施主呈现可逆性；ＮＣＺＳｉ的电阻率稳定化处理温度初步可选为９００℃． |
| 关 键 词： | 硅 氮 电学行为 半导体材料 |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ | |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《半导体学报》下载全文 | |