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一、红外技术材料 142 n-型Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te的电磁特性 Galvanomagnetic properties of n-type Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te,R.Dornhaus,Solid State Communica-tions,Aug.1974,Vol.15,№.3,pp.495～498. 本文报导了低和高迁移率n型Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te的电磁特性。实验是在达60千高斯的磁场内进行.温度是在1.8和77°K之间。霍尔系数没有显出载流子的热和磁扫出。在77°K时,横向磁阻显出了正如对在非简并半导体中的极化光学散射时所预计的比值P⊥∞β。已观察到在4°K时受杂质散射p⊥∞β~(2.4)控制的迁移率处于量子极限。在77°K时发现了纵向磁阻。高和低迁移率样品的实验结果明显不同。