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用于高效DC/DC变换器的沟槽MOSFET
作者姓名:Jess Brown  Mohamed Darwish
作者单位:Vishay Siliconix公司,Vishay Siliconix公司
摘    要:面对市场对高效率电源的需求,工程师们无不急切期盼快速开关、低rDS(on)的功率MOSFET能有新进展。如今,一种新颖的厚底层氧化物工艺可以让Crss减小为栅极结构器件相应参数的一半,从而大大减少了器件导通所需的栅电荷,缩短了功率MOSFET的开关瞬态过程,同时让导通电阻保持在一个极低的水平上。这一技术对DC/DC变换器来说,意味着电路工作效率将得以提高。


Trench MOSFETs for Efficient DC/DC Converters
Jess Brown ,Mohamed Darwish.Trench MOSFETs for Efficient DC/DC Converters[J].Electronic Engineering & Product World,2003(20):44-45.
Authors:Jess Brown  Mohamed Darwish
Abstract:
Keywords:
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