| MLS结构的电容-电压特性 |
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| 引用本文： | 张佐兰,郑茳,黄勤,陆祖宏,魏同立.MLS结构的电容-电压特性[J].材料研究学报,1992,6(1):64-67. |
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| 作者姓名： | 张佐兰 郑茳 黄勤 陆祖宏 魏同立 |
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| 作者单位： | 东南大学微电子学中心，东南大学，东南大学，东南大学，东南大学 副教授，南京市 210018 |
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| 摘 要： | 本文报导在 Si 衬底上拉制聚酰胺 LB 膜的电容-电压特性,结果表明:它具有与其它绝缘膜相似的特性,为聚酰胺 LB 膜应用于场效应器件奠定了基础。
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| 关 键 词： | LB膜 C-V特性 绝缘膜 |
| 收稿时间： | 1992-02-25 |
| 修稿时间： | 1992-02-25 |
C-V CHARACTERISTICS STUDIES ON MLS STRUCTURE |
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| ZHANG Zuolan,ZHENG Jiang,HUANG Qin,LU Zuhong,WEI Tongli.C-V CHARACTERISTICS STUDIES ON MLS STRUCTURE[J].Chinese Journal of Materials Research,1992,6(1):64-67. |
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| Authors: | ZHANG Zuolan ZHENG Jiang HUANG Qin LU Zuhong WEI Tongli |
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| Affiliation: | Southeast University |
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| Abstract: | C-V characteristics of polyimide Langmuir-Blodegett films is described in thispaper.The obtained results are similar to other insulator films.This is basic of polyimide LBfilms application in field effect transistor(MLSFET). |
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| Keywords: | Langmuir-Blodgett(LB)films C-V characteristics insulator films |
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