摘 要: | 0306356用于处理有机硅氧烷涂料的方法和设备:woo3一2 1 658[国际专利申请,日]旧本:Tokyo EleotronLimited等(Hishiya,ShingO等),一2003.3.13厂32页一JP20OI/266 019(20()l.9.3):IPC HolLZI/316 题述方法包括将涂有含甲基、苯基和/或乙烯基硅的聚硅氧烷组合物的底材放入反应器内并且在300一400 .C于NH3和水混合的催化性气体存在下或在N20或H存在下加热形成涂膜。在薄膜表面涂覆Me/Si为0.5且质均相对分质量为820 000的聚硅氧烷,在300 OCNH3存在下加热然后用水蒸汽处理30皿n形成介电常数为2.29的膜,若是在N下加热,所得膜的介电常…
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