| 掺Pt对Si(100)上形成的NiSi薄膜应力的影响 |
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| 引用本文： | 黄巍,茹国平,Detavernier C,Van Meirhaeghe R L,蒋玉龙,屈新萍,李炳宗.掺Pt对Si(100)上形成的NiSi薄膜应力的影响[J].半导体学报,2007,28(5):635-639. |
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| 作者姓名： | 黄巍 茹国平 Detavernier C Van Meirhaeghe R L 蒋玉龙 屈新萍 李炳宗 |
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| 作者单位： | 复旦大学微电子学系,上海,200433;Department of Solid State Sciences,Ghent University,Krijgslaan 281/S1,B-9000 Ghent,Belgium;复旦大学微电子学系,上海,200433;Department of Solid State Sciences,Ghent University,Krijgslaan 281/S1,B-9000 Ghent,Belgium |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金
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科技部中国-比利时科技合作项目
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上海市应用材料研究与发展项目
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上海市自然科学基金 |
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| 摘 要： | 利用在线应力测试技术表征了掺入Pt后对镍硅化物薄膜应力性质的影响.通过改变NiSi薄膜中Pt含量以及控制热处理的升温、降温速率实时测量了薄膜应力,发现在Si(100)衬底上生长的纯NiSi薄膜和纯PtSi薄膜的室温应力主要是热应力,且分别为775MPa和1.31GPa,而对于Ni1-xPtxSi合金硅化物薄膜,室温应力则随着Pt含量的增加而逐渐增大.应力随温度变化曲线的分析表明,Ni1-xPtxSi合金硅化物薄膜的应力驰豫温度随Pt含量的增加,从440℃(纯NiSi薄膜)升高到620℃(纯PtSi薄膜).应力驰豫温度的变化影响了最终室温时的应力值.
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| 关 键 词： | 硅化镍 镍铂硅化物 应力 |
| 文章编号： | 0253-4177(2007)05-0635-05 |
| 修稿时间： | 1/19/2007 2:19:52 PM |
Effect of Pt Addition on the Stress of NiSi Film Formed on Si (100) |
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| Huang Wei,Ru Guoping,Detavernier C,Van Meirhaeghe R L,Jiang Yulong,Qu Xinping and Li Bingzong.Effect of Pt Addition on the Stress of NiSi Film Formed on Si (100)[J].Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(5):635-639. |
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| Authors: | Huang Wei Ru Guoping Detavernier C Van Meirhaeghe R L Jiang Yulong Qu Xinping and Li Bingzong |
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| Affiliation: | Department of Microelectronics,Fudan University,Shanghai 200433,China;Department of Solid State Sciences,Ghent University,Krijgslaan 281/S1,B-9000 Ghent,Belgium;Department of Microelectronics,Fudan University,Shanghai 200433,China;Department of Solid State Sciences,Ghent University,Krijgslaan 281/S1,B-9000 Ghent,Belgium;Department of Solid State Sciences,Ghent University,Krijgslaan 281/S1,B-9000 Ghent,Belgium;Department of Microelectronics,Fudan University,Shanghai 200433,China;Department of Microelectronics,Fudan University,Shanghai 200433,China;Department of Microelectronics,Fudan University,Shanghai 200433,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | NiSi Ni1-xPtxSi stress |
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