| 一种具有衬底n型电荷区的高压LIGBT |
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| 引用本文： | 成建兵,张波,李肇基.一种具有衬底n型电荷区的高压LIGBT[J].半导体学报,2011,32(11):114003-4. |
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| 作者姓名： | 成建兵 张波 李肇基 |
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| 作者单位： | 南京邮电大学电子科学与工程学院 |
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| 基金项目： | 高速高压IGBT瞬态抽出模型与新结构 |
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| 摘 要： | 本文基于4μm漂移区厚度提出一种具有衬底浮空n型电荷区的新型LIGBT（NR-LIGBT）。由于n型电荷区的电场调制作用，器件的纵向击穿特性得到加强，击穿电压得到明显的提高。由于高的单位微米平均电场，因此新器件具有面积成本低、电流能力强和关断时间短的特点。模拟结果表明：在相同的100μm漂移区长度下，新结构的击穿电压比常规结构（C-LIGBT）提高了58％。并且，在相同的阻断能力下，新结构的关断时间短于常规器件。
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| 关 键 词： | LIGBT 基板 高电压 阻断能力 横向绝缘栅 双极晶体管 击穿电压 关闭时间 |
| 收稿时间： | 5/3/2011 8:09:13 AM |
| 修稿时间： | 7/18/2011 1:58:33 AM |
A novel high voltage LIGBT with an n-region in p-substrate |
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| Cheng Jianbing,Zhang Bo and Li Zhaoji.A novel high voltage LIGBT with an n-region in p-substrate[J].Chinese Journal of Semiconductors,2011,32(11):114003-4. |
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| Authors: | Cheng Jianbing Zhang Bo and Li Zhaoji |
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| Affiliation: | School of Electronic Science & Engineering, Nanjing University of Posts and Telecommunications, Nanjing 210003, China;State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, China;State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | NR-LIGBT blocking capability current capability turn-off time |
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