| 热空穴应力下LDD nMOSFET中GIDL电流退化特性研究* |
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| 引用本文： | 陈海峰,马晓华,过立新,杜慧敏.热空穴应力下LDD nMOSFET中GIDL电流退化特性研究*[J].半导体学报,2011,32(11):114001-4. |
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| 作者姓名： | 陈海峰 马晓华 过立新 杜慧敏 |
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| 作者单位： | 西安邮电学院电子工程学院,西安,西安电子科技大学,西安邮电学院电子工程学院,西安,西安邮电学院电子工程学院,西安 |
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| 基金项目： | 本文得到陕西省教育厅科学研究项目(编号：11JK0902 )和西安应用材料创新基金(编号：XA-AM-201012) |
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| 摘 要： | 本文通过GIDL电流参数IDIFF对空穴应力下LDD nMOSFET中的GIDL电流退化进行了深入研究。IDIFF是在相同VDG下漏电压VD=1.4V和栅电压VG=-1.4V两种情形下的GIDL电流之差。空穴陷落在栅漏交叠区的氧化层中导致GIDL电流退化。这些陷落的空穴减小了上述两种对称的测试情形下的横向电场差ΔEX从而使得IDIFF表小。从GIDL电流中提取的IDIFF随着应力时间t的增加而减小。IDIFF的退化量ΔIDIFF,MAX与应力时间成幂指数关系：ΔIDIFF,MAX∝tm, m=0.3. 并用热电子应力实验验证了HHS实验中的相关物理机理。
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| 关 键 词： | NMOSFET GIDL 电流衰减 退化 LDD 胁迫 栅极电压 测量条件 |
| 收稿时间： | 4/26/2011 6:01:53 PM |
| 修稿时间： | 7/17/2011 3:44:01 PM |
GIDL current degradation in LDD nMOSFET under hot hole stress |
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| Chen Haifeng,Ma Xiaohu,Guo Lixin and Du Huimin.GIDL current degradation in LDD nMOSFET under hot hole stress[J].Chinese Journal of Semiconductors,2011,32(11):114001-4. |
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| Authors: | Chen Haifeng Ma Xiaohu Guo Lixin and Du Huimin |
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| Affiliation: | 1 School of Electronic Engineering, Xi＇an University of Posts and Telecommunications, Xi＇an 710121, China 2 School of Technical Physics, Xidian University, Xi＇an 710071, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GIDL hot hole LDD band-to-band |
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