| 一种基于亚阈值MOSFET的140mV 0.8μA电压基准 |
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| 引用本文： | 杨淼,孙伟锋,徐申,王益峰,陆生礼.一种基于亚阈值MOSFET的140mV 0.8μA电压基准[J].半导体学报,2011,32(11):115011-5. |
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| 作者姓名： | 杨淼 孙伟锋 徐申 王益峰 陆生礼 |
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| 作者单位： | 东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心,东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心,东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心,东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心,东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心 |
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| 摘 要： | ——本文提出了一种基于亚阈值MOSFET的CMOS电压基准电路,它采用了与温度相关的阈值电压、峰值电流镜和亚阈值技术。此基准结构只由MOS晶体管和电阻组成,已经在SMIC 0.13μm CMOS工艺线上通过了流片验证。实验结果表明,基准电压输出在电源电压从0.5V变化到1.2V时具有2mV的变化,温度从-20℃变化到120℃时具有0.8mV的变化。该电路在室温时输出140mV,并且消耗电源电流仅为0.8uA,芯片面积占有0.019mm2。
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| 关 键 词： | 亚阈值 峰值电流镜 低电压 低功耗 |
| 修稿时间： | 7/2/2011 8:50:11 AM |
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