| 不同调制周期的Al/MoO3半导体桥发火器件电爆性能研究 |
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| 引用本文： | 党鹏阳,倪德彬,于国强,王培勇,徐栋,陈立魁.不同调制周期的Al/MoO3半导体桥发火器件电爆性能研究[J].火工品,2019(6). |
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| 作者姓名： | 党鹏阳 倪德彬 于国强 王培勇 徐栋 陈立魁 |
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| 作者单位： | 陕西应用物理化学研究所,陕西 西安,710061;陕西应用物理化学研究所,陕西 西安,710061;陕西应用物理化学研究所,陕西 西安,710061;陕西应用物理化学研究所,陕西 西安,710061;陕西应用物理化学研究所,陕西 西安,710061;陕西应用物理化学研究所,陕西 西安,710061 |
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| 摘 要： | 采用磁控溅射技术制备总厚度为6μm,调制周期分别为134nm/166nm和22nm/28nm的Al/MoO_3复合薄膜,并将其与半导体桥(SCB)整合形成含能半导体桥(ESCB)发火器件,研究了Al/MoO_3含能薄膜及SCB-Al/MoO_3含能半导体桥的性能。DSC分析表明,调制周期为22nm/28nm的薄膜只有1个放热峰,其活化能为245k J/mol;调制周期为134nm/166nm的薄膜有3个放热峰,最大放热峰的活化能为200k J/mol。22nm/28nm的含能薄膜燃速为5.34m/s;134nm/166nm的含能薄膜燃速为1.79m/s。随着调制周期的增加,SCB-Al/MoO_3的临界发火时间变长,调制周期对临界发火能量、作用总时间、作用总能量无影响,SCB-Al/MoO_3(22nm/28nm)的电压发火感度高于SCB-Al/MoO_3(134nm/166nm)。
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| 关 键 词： | Al/MoO3复合薄膜 调制周期 活化能 发火感度 |
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