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| 薄二氧化硅MOS电容电离辐射陷阱电荷研究 | |
| 引用本文： | 刘忠立.薄二氧化硅MOS电容电离辐射陷阱电荷研究[J].半导体学报,2001,22(7). |
| 作者姓名： | 刘忠立 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 |
| 摘 要： | 采用高频C-V曲线方法,研究了50nm及15nm MOS电容电离辐射空穴陷阱及界面态的建立过程.二种样品电离辐射空穴陷阱电荷密度在1×103Gy(Si)剂量下近乎相同,而在大于3×103Gy(Si)剂量下,50nm MOS电容的电荷密度约为15nm MOS电容的2倍.利用电离辐射后的隧道退火效应,计算出二种样品电离辐射陷阱电荷在Si-SiO2界面附近分布的距离均约为4nm. |
| 关 键 词： | MOS电容 电离辐射 陷阱电荷 |
Study on Ionizing Radiation Trapped Charge in Thin SiO2 MOS Capacitors |
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| Abstract: | |
| Keywords: | |
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