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300mm硅单晶的生长技术
作者姓名:张果虎  吴志强  方锋  秦福  常青  周旗钢  屠海令
作者单位:北京有色金属研究总院,
摘    要:讨论了300mm硅单晶的工艺控制,分析了拉晶工艺、热屏及磁场对晶体质量的影响。合理的工艺参数是拉制无位错单晶的前提,热屏和磁场的应用有效地控制了晶体的氧含量和微缺陷。

关 键 词:300mm  硅单晶  热屏  磁场
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