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| Ti/Al/Ti/Au与AlGaN欧姆接触特性 | |
| 引用本文： | 张锦文,张太平,王玮,宁宝俊,武国英. Ti/Al/Ti/Au与AlGaN欧姆接触特性[J]. 半导体学报, 2001, 22(6) |
| 作者姓名： | 张锦文 张太平 王玮 宁宝俊 武国英 |
| 作者单位： | 北京大学微电子研究所,北京 100871 |
| 摘 要： | 研究了溅射Ti/Al/Ti/Au四层复合金属与AlGaN/GaN的欧姆接触特性,并就环境温度对欧姆接触特性的影响进行了分析研究.试验证实:溅射的Ti/Al/Ti/Au与载流子浓度为2.24×1018cm-3的AlGaN之间在室温下无需退火即可形成欧姆接触.随快速退火温度的升高接触电阻降低.快速退火时间30s已可实现该温度下最佳欧姆接触.当工作温度不高于300℃时接触电阻几乎不受温度的影响. |
| 关 键 词： | AlGaN Ti/Al/Ti/Au 欧姆接触 |
Ohmic Contact Performance Between Ti/Al/Ti/Au and AlGaN |
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