| 氧气中退火Ge-SiO2共溅射薄膜的强紫光发射 |
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| 引用本文： | 沈今楷,吴兴龙,袁仁宽,谭超,鲍希茂. 氧气中退火Ge-SiO2共溅射薄膜的强紫光发射[J]. 半导体学报, 2001, 22(9) |
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| 作者姓名： | 沈今楷 吴兴龙 袁仁宽 谭超 鲍希茂 |
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| 作者单位： | 南京大学物理系, |
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| 摘 要： | Ge-SiO2共溅射薄膜分别在O2、N2和空气中退火后,在Xe灯250nm线激发下,均观测到位于400和300nm的紫、紫外光发射(PL).傅里叶变换红外吸收谱(FT-IR)表明,这两个PL峰与锗氧化物紧密相关.进一步的光致发光激发谱(PLE)则证实它们来源于GeO色心的光学跃迁.对比不同退火气氛下的PL强度,发现最强的光发射出现在800℃氧气里退火的样品中.这表明,退火气氛中氧的存在,能够增强Ge-SiO2共溅射薄膜的紫、紫外光发射,是一种增强光发射强度的新途径.
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| 关 键 词： | 光致发光 磁控溅射 傅里叶变换红外吸收谱 |
Strong Violet Emission from Ge-SiO2 Co-Sputtered Films Annealed in O2 |
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