| 多晶硅后热退火引起SiO2栅介质可靠性下降的原因分析及其抑制方法 |
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| 引用本文： | 高文钰,刘忠立,于芳,张兴. 多晶硅后热退火引起SiO2栅介质可靠性下降的原因分析及其抑制方法[J]. 半导体学报, 2001, 22(8) |
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| 作者姓名： | 高文钰 刘忠立 于芳 张兴 |
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| 作者单位： | 1. 北京大学微电子学研究所,
2. 中国科学院半导体研究所, |
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| 摘 要： | 实验研究表明，多晶硅后的高温退火明显引起热SiO2栅介质击穿电荷降低和FN应力下电子陷阱产生速率增加．采用N2O氮化则可完全消除这些退化效应，而且氮化栅介质性能随着退火时间增加反而提高．分析认为，高温退火促使多晶硅内H扩散到SiO2内同Si—O应力键反应形成Si—H是多晶硅后SiO2栅介质可靠性退化的主要原因；氮化抑制退化效应是由于N“缝合”了SiO2体内的Si—O应力键缺陷．
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| 关 键 词： | 栅介质 性能退化 氮化 可靠性 |
Gate Oxide Reliability Degradation by Post Poly-Silicon Annealing and Suppression Method |
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