| PD SOI NMOSFET翘曲效应的温度模型 |
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| 引用本文： | 张海鹏,魏同立,冯耀兰,姚炜,宋安飞. PD SOI NMOSFET翘曲效应的温度模型[J]. 半导体学报, 2001, 22(10) |
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| 作者姓名： | 张海鹏 魏同立 冯耀兰 姚炜 宋安飞 |
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| 作者单位： | 东南大学微电子中心, |
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| 摘 要： | 报道了一个部分耗尽(PD)SOI NMOSFET翘曲效应的温度解析模型.该模型从PD SOI NMOSFET器件的物理结构,即由顶部的NMOSFET和底部的寄生BJT构成这一特点出发,以一定温度下PD SOI NMOSFET体-射结电流与漏-体结电流的动态平衡为核心,采用解析迭代方法求解,得出漏-体结碰撞电离产生的空穴在体区中近源端积累达到饱和时的体-射结电压,及漏-体结和体-射结电流的各主要分量,进而得到了PD SOI NMOSFET翘曲效应漏电流的温度解析模型,并将一定条件下的模拟结果与实验结果进行了比较,二者吻合得很好.
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| 关 键 词： | PDSOINMOSFET 翘曲效应 温度解析模型 动态平衡 |
An Analytical Temperature-Dependent Kink Effect Model of PD SOI NMOSFET |
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