| Monte Carlo方法模拟低能电子束曝光电子散射轨迹 |
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| 引用本文： | 任黎明,陈宝钦. Monte Carlo方法模拟低能电子束曝光电子散射轨迹[J]. 半导体学报, 2001, 22(12) |
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| 作者姓名： | 任黎明 陈宝钦 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子中心微光刻实验室,北京,100029 |
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| 摘 要： | 建立了一个适用于描述低能电子散射的物理模型,利用Monte Carlo方法对低能电子在多元多层介质中的散射过程进行模拟.低能电子弹性散射采用较严格的Mott截面描述,为了节约机时,利用查表与线性插值方法获得Mott截面值;低能电子非弹性散射能量损失采用Joy修正的Bethe公式计算,并对其加以改进,引入多元介质平均电离电位、平均原子序数、平均原子量概念,利用线性插值方法给出光刻胶PMMA对应的k值.对电子穿越多层介质提出一种新的边界处理方法.在此基础上运用Monte Carlo方法模拟高斯分布低能电子束在PMMA-衬底中的复杂散射过程.模拟结果表明低能电子束曝光具有曝光效率高、邻近效应低、对衬底损伤轻等优点,与Lee、Peterson等人通过实验得出的结论相符.该研究将为电子束曝光技术的定量研究提供一定的理论依据.
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| 关 键 词： | 电子束曝光 Monte Carlo方法 低能电子散射 |
Monte Carlo Simulation of Electron Scattering Trajectories in Low-Energy Electron Beam Lithography |
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