| LP-MOVPE生长宽波导有源区无铝单量子阱激光器 |
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| 引用本文： | 李忠辉,王向武,杨进华,张兴德. LP-MOVPE生长宽波导有源区无铝单量子阱激光器[J]. 半导体学报, 2001, 22(12) |
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| 作者姓名： | 李忠辉 王向武 杨进华 张兴德 |
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| 作者单位： | 1. 长春光学精密机械学院高功率半导体激光国家重点实验室,长春,130022
2. 南京电子器件研究所新材料中心,南京,210016 |
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| 摘 要： | 介绍了无铝激光器的优点,利用LP-MOVPE生长出宽波导有源区无铝SCH-SQW结构激光器.该结构采用宽带隙InGaAlP作限制层,加宽的InGaP作波导层,增加对载流子和光子的限制作用,以克服有铝激光器易氧化和全无铝激光器载流子易泄漏的缺点.制作的条宽100μm、腔长1mm的激光器(腔面未镀膜),激射波长为831nm,室温连续输出光功率达1W.
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| 关 键 词： | 金属有机化合物气相外延 宽波导 分别限制 单量子阱 无铝激光器 |
LP-MOVPE Grown Broad-Waveguide Al-Free Active-Region SQW Lasers |
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