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| 用Columnar模型对电子空穴对复合逃逸产额的模拟计算 | |
| 引用本文： | 王桂珍,张正选,姜景和,罗尹虹.用Columnar模型对电子空穴对复合逃逸产额的模拟计算[J].半导体学报,2001,22(9). |
| 作者姓名： | 王桂珍 张正选 姜景和 罗尹虹 |
| 作者单位： | 西北核技术研究所, |
| 摘 要： | 用一种比较简单的Jaffe近似方法计算了质子在SiO2中的电子空穴对的逃逸率,讨论了辐照偏置、电场、质子入射角度、质子能量等对逃逸产额的影响.得到了电子空穴对复合逃逸率与质子能量、电场成正比的结果.计算结果与实验结果的比较,说明了Jaffe近似方法可以比较正确地描述质子在二氧化硅中的总剂量效应. |
| 关 键 词： | 复合模型 逃逸产额 阻止本领 Columnar模型 |
Recombination Along the Track of Proton in SiO2 Films |
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