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| 高能铒离子注入硅单晶的辐射损伤及其退火行为 | |
| 引用本文： | 李玉国,薛成山. 高能铒离子注入硅单晶的辐射损伤及其退火行为[J]. 半导体学报, 2001, 22(12) |
| 作者姓名： | 李玉国 薛成山 |
| 作者单位： | 山东师范大学半导体研究所,济南,250014 |
| 摘 要： | 利用卢瑟福背散射及沟道技术研究了2MeV Er+以不同剂量注入硅(100)所引起的辐射损伤及其退火行为.采用多重散射模型计算了2MeV 1×1014/cm2注入硅(100)引起的损伤分布,并与TRIM96模拟得到的结果进行了比较.结果表明计算得到的损伤分布与TRIM96模拟的损伤分布完全符合;实验结果表明MeV Er+注入后硅样品的退火行为与注入剂量及退火温度紧密相关.随着退火温度的变化,注入剂量为5×1014/cm2及其以上的样品存在反常退火行为. |
| 关 键 词： | 高能离子注入 损伤分布 退火 |
Radiation Damage and Annealing Behavior of 2. 0MeV Er+ Implanted Silicon |
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| Abstract: | |
| Keywords: | |
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