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| 离子注入氮化薄SiO2栅介质的特性 | |
| 引用本文： | 王延峰,刘忠立.离子注入氮化薄SiO2栅介质的特性[J].半导体学报,2001,22(7). |
| 作者姓名： | 王延峰 刘忠立 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所, |
| 摘 要： | 研究了通过多晶硅栅注入氮离子氮化10nm薄栅SiO2的特性.实验证明氮化后的薄SiO2栅具有明显的抗硼穿透能力,它在FN应力下的氧化物陷阱电荷产生速率和正向FN应力下的慢态产生速率比常规栅介质均有显著下降,氮化栅介质的击穿电荷(Qbd)比常规栅介质提高了20%.栅介质性能改善的可能原因是由于离子注入工艺在栅SiO2中引进的N+离子形成了更稳定的键所致. |
| 关 键 词： | 氮化薄SiO2栅 氮离子注入 硼穿透 FN应力 |
Study on Nitridation of Thin-Gate SiO2 Using Nitrogen Ion Implantation |
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| Abstract: | |
| Keywords: | |
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