| 一种适合制作CMOS的SiGe PMOSFET |
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| 引用本文： | 黎晨,朱培喻,罗广礼,陈培毅,钱佩信.一种适合制作CMOS的SiGe PMOSFET[J].半导体学报,2001,22(7). |
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| 作者姓名： | 黎晨 朱培喻 罗广礼 陈培毅 钱佩信 |
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| 作者单位： | 清华大学微电子学研究所, |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，国家科技攻关项目 |
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| 摘 要： | 在通常适合于制作埋沟SiGe NMOSFET的Si/弛豫SiGe/应变Si/弛豫SiGe缓冲层/渐变Ge组分层的结构上,制作成功了SiGe PMOSFET.这种SiGe PMOSFET将更容易与SiGe NMOSFET集成,用于实现SiGe CMOS.实验测得这种结构的SiGe PMOSFET在栅压为3.5V时最大饱和跨导比用作对照的Si PMOS提高约2倍,而与常规的应变SiGe沟道的器件相当.
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| 关 键 词： | SiGe PMOSFET SiGe CMOS |
SiGe PMOSFET's Favorable for Fabricating CMOS |
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