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| MOS器件的质子总剂量效应 | |
| 引用本文： | 王桂珍,张正选,姜景和,罗尹红,彭宏论,何宝平. MOS器件的质子总剂量效应[J]. 半导体学报, 2001, 22(11) |
| 作者姓名： | 王桂珍 张正选 姜景和 罗尹红 彭宏论 何宝平 |
| 作者单位： | 西北核技术研究所,西安,710024 |
| 摘 要： | 介绍了几种加固和非加固MOS电路的质子辐照总剂量效应实验,质子束的能量为9、7、5、2MeV.实验结果表明,在相同的吸收剂量下,MOS器件累积电离辐射损伤与质子能量成正比.还给出了栅极偏压对器件质子辐射损伤的影响,结果认为,对于NMOSFET,不论是加固器件,还是非加固器件,在+5V的栅压偏置下,器件的辐射损伤比0V栅压下的损伤严重,对于加固器件,辐射感生界面态的密度也较高;而加固型PMOSFET,在0V的栅压下,辐射损伤比-5V下严重,且界面态的密度高. |
| 关 键 词： | 总剂量效应 质子 Faraday筒 阈值电压 漏电流 |
Total DoseEffects of Protons on MOS Devices |
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