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| 薄栅介质TDDB效应 | |
| 引用本文： | 刘红侠,郝跃. 薄栅介质TDDB效应[J]. 半导体学报, 2001, 22(12) |
| 作者姓名： | 刘红侠 郝跃 |
| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子研究所,西安,710071 |
| 摘 要： | 在恒压和恒流应力条件下测试了超薄栅氧化层的击穿特性,研究了TDDB(Time Dependent Dielectric Breakdown)的可靠性表征方法.对相关击穿电荷量QBD进行了实验测试和分析.结果表明:相关击穿电荷量QBD除了与氧化层质量有关外,还与应力电压和应力电流密度以及栅氧化层面积有关.对相关系数进行了拟合,给出了QBD的解析表达式.按照上述表达式外推的结果和实验值取得了很好的一致.提出了薄栅介质TDDB效应的表征新方法. |
| 关 键 词： | TDDB 击穿机理 击穿电荷 可靠性表征 |
TDDB Effect for Thin Gate Dielectric |
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