| 低电压C类SiGe微波功率异质结双极型晶体管 |
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| 引用本文： | 贾宏勇,陈培毅,钱佩信,潘宏菽,黄杰,杨增敏,李明月.低电压C类SiGe微波功率异质结双极型晶体管[J].半导体学报,2001,22(9). |
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| 作者姓名： | 贾宏勇 陈培毅 钱佩信 潘宏菽 黄杰 杨增敏 李明月 |
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| 作者单位： | 1. 清华大学微电子所,
2. 信息产业部电子13所, |
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| 摘 要： | 给出了低电压微波SiGe功率异质结双极型晶体管(HBT)的器件结构和测试结果.器件结构适于低压大电流状态下应用.采用了梳状发射极条的横向版图设计,其工作电压为3-4V.在C类工作状态,1GHz的工作频率下,输出功率可以达到1.65W,具有8dB的增益.3V时可以达到的最高收集极效率为67.8%.
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| 关 键 词： | 锗硅 异质结晶体管 微波功率晶体管 |
Low Voltage Class C SiGe Microwave Power HBTs |
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| Abstract: | The structure and microwave characteristics of low-voltage SiGe power HBTs are given.With this structure,the device can operate in a low-voltage and high-current state.By using an interdigital emitter strip layout and the operating voltage ranging from 3 to 4V,the output power in Class C operation can reach 1.65W at 1GHz,with the gain of 8dB.The highest collector efficiency is 67.8% under 3V. |
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