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| 硅片发生室温键合所需的平整度条件 | |
| 引用本文： | 韩伟华,余金中. 硅片发生室温键合所需的平整度条件[J]. 半导体学报, 2001, 22(12) |
| 作者姓名： | 韩伟华 余金中 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室,北京,100083 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金，国家重点基础研究发展计划(973计划) |
| 摘 要： | 根据薄板弹性力学,推导了室温键合过程中硅片接触表面缝隙封闭的临界条件.硅片的表面起伏幅度、起伏的空间波长、表面张力、材料弹性和硅片厚度都是影响接触表面缝隙封闭的重要因素,越薄的硅片越容易室温键合. |
| 关 键 词： | 室温键合界面缝隙 粗糙度 薄板弹性形变 |
Criterion of Gap Closing for Silicon Wafer Bondability |
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