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| 双栅和环栅MOSFET中短沟效应引起的阈值电压下降 | |
| 引用本文： | 甘学温,王旭社,张兴.双栅和环栅MOSFET中短沟效应引起的阈值电压下降[J].半导体学报,2001,22(12). |
| 作者姓名： | 甘学温 王旭社 张兴 |
| 作者单位： | 北京大学微电子学研究所,北京,100871 |
| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) |
| 摘 要： | 基于电荷分享原理,推导了双栅和环栅MOSFET短沟效应引起的阈值电压下降,分析了衬底掺杂浓度、栅氧化层厚度及硅膜厚度等因素对阈值电压下降的影响,并用数值模拟验证了理论结果.这些研究结果对进一步开展纳米CMOS新器件的研究有很好的参考价值和实际意义. |
| 关 键 词： | 双栅MOSFET 环栅MOSFET 电荷分享 阈值电压下降 |
Analysis of Threshold Voltage Decreasing for Double-Gate and Surrounding-Gate MOSFET's |
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