| 氧化物半导体透明导电薄膜的最佳掺杂含量理论计算 |
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| 引用本文： | 范志新,孙以材,陈玖琳.氧化物半导体透明导电薄膜的最佳掺杂含量理论计算[J].半导体学报,2001,22(11). |
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| 作者姓名： | 范志新 孙以材 陈玖琳 |
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| 作者单位： | 河北工业大学应用物理系,天津,300130 |
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| 摘 要： | 以铝掺杂氧化锌(A1-doped ZnO,简称AZO)和锡掺杂氧化铟(Sn-dopedIn2O3,简称ITO)薄膜为例,建立了一个氧化物半导体透明导电薄膜的最佳掺杂含量的理论表达式,定量计算的结果AZO陶瓷靶材中铝含量的理论最佳值为C≈2.9894%(wt),ITO陶瓷靶材中锡含量的理论最佳值为C≈10.3114%(wt),与实验数据相符合.该理论经适当的修改和解释后也适用于某些其他电子薄膜材料的最佳掺杂含量问题.
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| 关 键 词： | 氧化物半导体 透明导电薄膜 最佳掺杂含量 |
Theoretical Calculation of Optimum Doping Content in Oxide Semiconductor Transparent Conductive Films |
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