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| 硅基SiO2光波导 | |
| 引用本文： | 徐永青,梁春广,杨拥军,赵彤.硅基SiO2光波导[J].半导体学报,2001,22(12). |
| 作者姓名： | 徐永青 梁春广 杨拥军 赵彤 |
| 作者单位： | 信息产业部电子第十三研究所,石家庄，050051 |
| 摘 要： | 在硅基上通过氢氧焰淀积的SiO2,厚度达到了20μm;通过掺Ge增加芯层的折射率,折射率比小于1%,并可调;用反应离子刻蚀工艺对波导的芯层进行刻蚀,刻蚀深度为6μm,刻蚀深宽比大于10;波导传输损耗小于0.6dB/cm(λ=1.55μm),并对波导的损耗机理和测试进行了分析与研究.另外,为实现光纤与波导的耦合,结合微电子机械系统技术,在波导基片上制作了光纤对准V形槽. |
| 关 键 词： | 二氧化硅 光波导 氢氧焰淀积 微电子机械系统 |
Silica-on-Silicon Optical Waveguides |
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