| 化学计量比的偏离对GaN的结晶品质及光电性能的影响 |
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| 引用本文： | 江风益,姚冬敏,莫春兰,王立,李鹏,熊传兵,彭学新.化学计量比的偏离对GaN的结晶品质及光电性能的影响[J].半导体学报,2001,22(6). |
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| 作者姓名： | 江风益 姚冬敏 莫春兰 王立 李鹏 熊传兵 彭学新 |
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| 作者单位： | 南昌大学材料科学研究所,南昌 330047 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划)，国家自然科学基金，江西省跨世纪人才培养基金 |
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| 摘 要： | 用X射线光电子能谱对MOCVD生长的未故意掺杂GaN单晶薄膜进行N、Ga组份测试,同时用RBS/Channeling、Hall测量和光致发光技术对样品进行结晶品质及光电性能研究.结果表明N含量相对低的GaN薄膜,其背景载流子浓度较高,离子束背散射沟道最小产额比χmin较小,带边辐射复合跃迁较强.在N含量相对低的GaN薄膜中易形成N空位,N空位是导致未故意掺杂的GaN单晶薄膜呈现n型电导的主要原因;N空位本身对离子束沟道产额没有贡献,但它能弛豫GaN与Al2O3之间的晶格失配,改善生长的GaN薄膜的结晶品质.
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| 关 键 词： | GaN X射线光电子能谱 RBS/沟道 光致发光 Hall测量 |
Influence of Deviation from Stoichiometry on Crystallinic Qualities |
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